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公司基本資料信息
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主營英飛凌,三菱,富士,東芝,三社,西門子,西門康,IXYS, eupec,等功率模塊, 瑞士LEM霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器;GTR,IGBT,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流橋, SAMSUNG、、TI、NXP、FSC、NS 、ON、IR、等IC 二三極管 MOS管,
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FZ系列
FZ800R12KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4 FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1800R17KF6C_B2
FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4C FZ400R12KS4 FZ800R17KF6C_B2
FZ600R17KE3 FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ2400R17KF6C_B2
FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3 FZ1600R17KF6C_B2
FZ3600R12KE3 FZ600R12KS4 FZ600R12KE3 FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C FZ2400R12KE3 FZ400R17KE3 FZ800R12KS4_B2
FZ1200R17KE3 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3
FS系列
FS400R12KF4 FS450R12KE3 FS100R12KS4 FS150R12KE3
FS300R12KE3 FS100R12KE3 FS150R12KT3 FS300R12KF4
FS225R12KE3 FS100R12KT3
BSM系列
BSM200GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM50GD120DN2E3226
BSM300GB60DLC BSM30GD60DLC BSM100GP60 BSM200GA120DLCS
BSM100GD60DLC BSM150GD60DLC BSM200GD60DLC BSM50GD120DN2
BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2 BSM150GB120DN2
BSM300GA120DLC BSM400GA120DLC BSM600GA120DLC BSM100GD120DLC
BSM75GB120DN2 BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2 BSM100GD120DN2
BSM200GB120DN2 BSM50GB120DLC BSM200GB120DLC BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DLC BSM150GB120DLC BSM300GAR120DLC BSM75GAL120DN2
BSM75GD120DN2 BSM75GAR120DN2 BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2
BSM300GB120DLC BSM300GAL120DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLC
BSM50GD120DLC BSM200GA170DLC BSM100GB170DN2 BSM150GB170DN2
BSM100GAL120DN2 BSM75GB170DN2 BSM50GB170DN2 BSM300GA170DN2S
FF系列
FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 FF400R12KF4
FF600R12KF4 FF800R12KF4 FF400R12KL4C FF600R12KL4C
FF800R12KL4C FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3
FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF800R12KE3 FF800R17KF6C_B2
FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3 FF600R17KF6C_B2
FF600R16KF4 FF400R16KF4 FF1200R12KE3 FF400R17KF6C_B2
FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF800R17KE3 FF1200R17KE3
infineon模塊/英飛凌IGBT/英飛凌二極管/英飛凌可控硅/英飛凌整流橋
英飛凌可控硅:
TT210N12KOF TT210N08KOF TT210N14KOF
IGBT模塊使用應注意
1、在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
2、在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3、盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采
用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果
集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只
10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散
熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫
度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。